商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
C3M0021120K1是基于第三代技術(shù)的1200 V, 21 mΩ, 100 A 碳化硅功率MOSFET,具有高速開(kāi)關(guān)特性,電容低,阻斷電壓高,導(dǎo)通電阻低。該器件針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)模式電源、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。
C3M0021120K1的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:14 ns
Id-連續(xù)漏極電流:100 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 40°C
安裝風(fēng)格:Through Hole
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-247-4
Pd-功率耗散:469 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:162 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:38 mOhms
上升時(shí)間:33 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:57 ns
典型接通延遲時(shí)間:29 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 19 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認(rèn)證的SiC 功率模塊,主要用于感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動(dòng)汽車(chē)快速充電等高頻工業(yè)應(yīng)用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):530…CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V,100A的T型工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)模塊,主要用于工業(yè)領(lǐng)域,特別是需要高性能、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合各種工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格:技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 個(gè) N 通…CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅(SiC)功率模塊,由Wolfspeed公司生產(chǎn),主要用于各種工業(yè)應(yīng)用,特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V…HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點(diǎn)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標(biāo)準(zhǔn)高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計(jì)超低損耗、高頻運(yùn)行常開(kāi)、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路實(shí)…電話咨詢:86-755-83294757
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