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MSC050SDA070S：采用D3PAK封裝的 700V碳化硅肖特基二極管

MSC050SDA070S - 碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態(tài)性能和熱性能，優(yōu)于傳統(tǒng)的硅功率二極管。碳化硅勢壘二極管由硅 (Si) 和碳 (C) 組成。與純硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙和更高的熱導(dǎo)率。碳化硅肖特基二極管具有零正向和反向恢復(fù)電荷，可減少二極管的開關(guān)損耗。

MSC050SDA070S - 產(chǎn)品屬性：

技術(shù)：SiC（碳化硅）肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：700 V

If - 正向電流：50A

Ifsm - 正向浪涌電流：290A

Ir - 反向電流：200μA

Pd-功率耗散：429W

Vf - 正向電壓：1.5V

Vrrm - 重復(fù)反向電壓：1.2 kV

電流 - 平均整流 (Io)：88A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 50 A

速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 700 V

不同 Vr、F 時電容：2034pF @ 1V，1MHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-268-3，D3PAK（2 引線 + 凸片），TO-268AA

供應(yīng)商器件封裝：D3PAK

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

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