商品名稱:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:TSOP-54
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
AS4C4M16SA-6TAN - 64M(4M x 16 位)同步 DRAM(SDRAM)存儲(chǔ)器 IC
AS4C4M16SA-6TAN - 產(chǎn)品描述:
AS4C4M16SA-6TAN 是一款高速 CMOS 同步 DRAM,容量為 64 Mbits。它內(nèi)部配置為 4 組 1M 字 x 16 DRAM,具有同步接口(所有信號(hào)均在時(shí)鐘信號(hào) CLK 的正邊沿注冊(cè))。SDRAM 的可編程讀寫(xiě)突發(fā)長(zhǎng)度為 1、2、4、8 或整頁(yè),并提供突發(fā)終止選項(xiàng)。可啟用自動(dòng)預(yù)充電功能,在突發(fā)序列結(jié)束時(shí)啟動(dòng)自定時(shí)行預(yù)充電。
AS4C4M16SA-6TAN - 主要功能:
從時(shí)鐘開(kāi)始的快速存取時(shí)間:5.4 毫微秒
快速時(shí)鐘頻率 166 MHz
完全同步運(yùn)行
符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
內(nèi)部流水線結(jié)構(gòu)
1M 字 x 16 位 x 4 組
可編程模式寄存器
- CAS 延遲:2 或 3
- 突發(fā)長(zhǎng)度:1、2、4、8 或整頁(yè)
- 突發(fā)類型 順序或交錯(cuò)
- 突發(fā)停止功能
- 可選驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制
自動(dòng)刷新和自刷新
4096 次刷新周期/32 毫秒
汽車環(huán)境溫度:-40~105°C
CKE 斷電模式
接口: LVTTL
54 引腳 400 密耳塑料 TSOP II 封裝
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Kingston
FBGA-96
1000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Auto temp 4Gb 256Mx16 96 ball FBGA DDR3L 2133
Kingston
FBGA-96
2000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Auto temp 2Gb 128Mx16 96 ball FBGA DDR3L 2133
Kingston
FBGA-200
1000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb 1024Mx16 200 ball LPDDR4 3733MHz
Kingston
FBGA-200
2000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 32Gb 1024Mx32 200 ball LPDDR4x 4266MHz
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存儲(chǔ)器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA(10x14.5)
Winbond
VFBGA-96
2000
SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)器 IC 2Gb 并聯(lián) 1.067 GHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的全球化無(wú)晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為多個(gè)可獨(dú)立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。型號(hào):AS9F38G08SA-25BI…AS9F34G08SA-25BIN
型號(hào):AS9F34G08SA-25BIN封裝:FBGA-63類型:NAND 閃存存儲(chǔ)器詳細(xì)描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲(chǔ)器類型:非易失存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲(chǔ)容量:4Gb存儲(chǔ)器組織:512M x …AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲(chǔ)器類型:非易失存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲(chǔ)容量:4Gb存儲(chǔ)器組織:512M x 8存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):25ns,700s訪問(wèn)時(shí)間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為…AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(xiàng)(x16 或 x8)AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部有十六個(gè)存儲(chǔ)塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大?。? Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時(shí)鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…電話咨詢:86-755-83294757
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