商品名稱:F-RAM(鐵電RAM)
品牌:Cypress
年份:24+
封裝:FBGA-24
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存儲(chǔ)器,采用了先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是一種非易失性存儲(chǔ)器,其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。與串行閃存和 EEPROM 不同,CY15X116QI 以總線速度執(zhí)行寫(xiě)入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?,?shù)據(jù)立即寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列。無(wú)需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢,即可開(kāi)始下一個(gè)總線周期。此外,與其他非易失性存儲(chǔ)器相比,該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫(xiě)入耐用性。CY15X116QI 能夠支持 1015 次讀寫(xiě)周期,寫(xiě)入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。
特點(diǎn)
16 位鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 2048K × 8
幾乎無(wú)限的耐用性 1000 萬(wàn)億 (1015) 次讀寫(xiě)
151 年的數(shù)據(jù)保存期(請(qǐng)參閱第 19 頁(yè)的數(shù)據(jù)保存期和耐用性)
NoDelay? 寫(xiě)入
先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
快速串行外設(shè)接口 (SPI)
頻率高達(dá) 20 MHz
支持 SPI 模式 0(0,0)和模式 3(1,1)
先進(jìn)的寫(xiě)保護(hù)方案
使用寫(xiě)保護(hù) (WP) 引腳進(jìn)行硬件保護(hù)
使用禁寫(xiě) (WRDI) 指令進(jìn)行軟件保護(hù)
1/4、1/2 或整個(gè)陣列的軟件塊保護(hù)
器件 ID 和序列號(hào)
制造商 ID 和產(chǎn)品 ID
唯一設(shè)備 ID
序列號(hào)
專用的 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM
專用特殊扇區(qū)寫(xiě)入和讀取
存儲(chǔ)的內(nèi)容可在三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)回流焊接周期內(nèi)正常運(yùn)行
低功耗
20 MHz 時(shí)的有效電流為 1.50 mA(典型值
14 μA(典型值)待機(jī)電流
1.10 μA(典型值)深度掉電模式電流
0.1 μA(典型值) 休眠模式電流
1.90 mA(典型值) 開(kāi)機(jī)期間的浪涌電流
規(guī)格
類別:存儲(chǔ)器
包裝: 托盤(pán)
零件狀態(tài): 在售
存儲(chǔ)器類型: 非易失
存儲(chǔ)器格式: FRAM
技術(shù): FRAM(鐵電體 RAM)
存儲(chǔ)容量: 16Mb
存儲(chǔ)器組織: 2M x 8
存儲(chǔ)器接口: SPI
時(shí)鐘頻率: 20 MHz
訪問(wèn)時(shí)間: 20 ns
電壓 - 供電: 1.8V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 24-TBGA
供應(yīng)商器件封裝: 24-FBGA(6x8)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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