IXTY2P50PA - 500V P-溝道增強(qiáng)型 PolarP? MOSFET 晶體管
產(chǎn)品屬性
技術(shù): 硅
安裝方式:SMD/SMT
封裝/外殼:DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:P 溝道
通道數(shù):1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:500 V
Id - 漏極連續(xù)電流:2 A
Rds On - 漏極-源極電阻:4.2 歐姆
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:4.5 V
Qg - 柵極電荷:11.9 nC
Pd - 功率耗散:58 W
通道模式:增強(qiáng)
IXTY2P50PA - 引腳分布圖(TO-252)
特性和優(yōu)點(diǎn):
通過 AEC Q101 認(rèn)證
雪崩額定值
堅固的 PolarPTM 工藝
低封裝電感
易于安裝
節(jié)省空間
應(yīng)用:
高壓側(cè)開關(guān)
推挽放大器
直流斬波器
自動測試設(shè)備
電流調(diào)節(jié)器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點(diǎn)高速開關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這類應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強(qiáng)了動態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢:86-755-83294757
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