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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):AIMZH120R030M1T

商品名稱:N 溝道 MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-TO247-4-11

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
AIMZH120R030M1T
封裝
PG-TO247-4-11
描述
通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11

產(chǎn)品描述

AIMZH120R030M1T車用1200V G1 SiC溝槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。具有高功率密度、出色的效率、雙向充電能力以及顯著降低系統(tǒng)成本等特性,因此非常適合用于車載充電器和DC-DC應(yīng)用。TO和SMD元件還設(shè)有開爾文源極引腳,可優(yōu)化開關(guān)性能。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):69A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):38 毫歐 @ 27A,20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.1V @ 8.6mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):57 nC @ 20 V

Vgs(最大值):+23V,-5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1738 pF @ 800 V

功率耗散(最大值):326W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級(jí):汽車級(jí)

資質(zhì):AEC-Q101

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-11

封裝/外殼:TO-247-4


應(yīng)用

車載充電器和PFC

升壓器和直流/直流轉(zhuǎn)換器

輔助逆變器

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

MRH10N22U3SR

Microchip

SMD

3000

增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET,150°C、100V U3

RCX450N20

ROHM

TO-220-3

5000

通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

NTHL099N60S5

ON

TO-247-3

2500

MOSFET - 功率,單 N 溝道,SUPERFET V,易驅(qū)動(dòng),TO247-3L 600 V,99 m,33 A

NTBGS1D5N06C

ON

D2PAK-7

25000

MOSFET - 功率,單 N 溝道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

NVMFS5C410NWFAFT1G

ON

5-DFN

15000

MOSFET - 功率,單 N 溝道 40 V,0.92 m,300 A

NTB7D3N15MC

ON

TO-263-3

5000

MOSFET - N 溝道屏蔽柵 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

STL175N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

STL170N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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