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CY7C1312KV18-300BZXC QDR-II DDR-II 同步 SRAM 的最高速度為 333MHz，密度高達 144Mb，讀取延遲為 1.5 或 2.5 個周期，突發(fā)長度為 2 或 4，采用行業(yè)標準的 165 球 FBGA 封裝. QDR-II 系列還包括雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR-II) 器件。 DDR-II 器件與 QDR-II 器件類似，不同之處在于所有 DDR 器件的突發(fā)長度為 2 和單一數(shù)據(jù)速率地址總線。 此外，DDR-II 可用于 SIO（獨立 I/O）或 CIO（通用 I/O）選項。 SIO 設備提供獨立的讀寫端口，消除了 CIO 設備中的數(shù)據(jù)總線“周轉”時間。 CIO 設備為讀取和寫入提供單個端口，從而減少了所需的數(shù)據(jù)引腳連接數(shù)。

規(guī)格參數(shù)

存儲器類型 易失  

存儲器格式 SRAM  

技術 SRAM - 同步，QDR II  

存儲容量 18Mb（1M x 18）  

存儲器接口 并聯(lián)  

時鐘頻率 300 MHz  

寫周期時間 - 字，頁 -  

電壓 - 供電 1.7V ~ 1.9V  

工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 165-LBGA  

供應商器件封裝 165-FBGA（13x15）  

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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