SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過強大的SiC芯片組和最小化的寄生封裝元件提供增強的性能。SiC肖特基二極管模塊設計用于低損耗和EMI噪聲，具有低結殼熱阻。該GHXS030A060S-D3模塊適用于開關模式電源、感應加熱器、焊接設備和充電站。
產品屬性
二極管配置：2 個獨立式
技術：SiC（碳化硅）肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：30A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 3 A
速度：快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 μA @ 600 V
工作溫度 - 結：-55°C ~ 175°C
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝：SOT-227
基本產品編號：GHXS030
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
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SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET …電話咨詢：86-755-83294757
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