商品名稱:GHXS020A060S-D3
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:SOT-227-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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GHXS020A060S-D3是一款600V、2 個(gè)獨(dú)立式SiC功率二極管模塊。該模塊適用于DC電力設(shè)備的供應(yīng)、感應(yīng)加熱整流器、焊接設(shè)備、高溫和整流器。
產(chǎn)品屬性
二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式
技術(shù):SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):20A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 20 A
速度:快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:200 μA @ 600 V
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227
基本產(chǎn)品編號(hào):GHXS020
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
SOT-227-4
1000
二極管模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 700 V 100A(DC) 底座安裝 SOT-227-4,miniBLOC
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識(shí),其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場(chǎng):電動(dòng)汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標(biāo)準(zhǔn)。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動(dòng)汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175C結(jié)溫下工作,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個(gè)配置有2 個(gè) N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET …電話咨詢:86-755-83294757
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