商品名稱:NTLJS17D0P03P8ZTAG
品牌:ON
年份:23+
封裝:6-PQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NTLJS17D0P03P8ZTAG P溝道MOSFET是-30V、11.3mΩ單P溝道功率MOSFET,具有低RDS(on) 值和低電容,可最大限度地降低導(dǎo)通和驅(qū)動(dòng)器損耗。該MOSFET具有2mm × 2mm的小尺寸,設(shè)計(jì)緊湊。典型應(yīng)用包括電池管理、保護(hù)和電力負(fù)荷開關(guān)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.3 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):38 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):860mW(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:6-PQFN(2x2)
封裝/外殼:6-PowerWDFN
基本產(chǎn)品編號(hào):NTLJS17
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ON
8-WDFN
3000
表面貼裝型 P 通道 30 V 13.4A(Ta),47.6A(Tc) 2.66W(Ta),33.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXH020P120MNF1PG
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NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…電話咨詢:86-755-83294757
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