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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IPP076N15N5

商品名稱:IPP076N15N5

數(shù)據(jù)手冊:IPP076N15N5.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-220-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPP076N15N5
封裝
TO-220-3
描述
通孔 N 通道 150 V 112A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3

產(chǎn)品描述

IPP076N15N5 150 V 功率 MOSFET 特別適用于叉車和電動摩托車等低壓驅(qū)動以及電信和太陽能應(yīng)用。新產(chǎn)品突破性地降低了 R DS(on)(與 SuperSO8 中的次佳替代品相比,降低幅度高達(dá) 25%)和 Q rr,同時(shí)不影響 FOM gd 和 FOM OSS,在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)有效減少了設(shè)計(jì)工作量。此外,超低反向恢復(fù)電荷(SuperSO8 中的 Q rr = 26 nC)提高了換向的堅(jiān)固性。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):112A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7.6 毫歐 @ 56A,10

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.6V @ 160μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):21 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):4700 pF @ 75 V

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

功率耗散(最大值):214W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3

封裝/外殼:TO-220-3


應(yīng)用

● 低壓驅(qū)動

● 電信

● 太陽能

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常見問題

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