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GS-065-030-2-L-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用行業(yè)領先的創(chuàng)新技術，如獲得專利的 Island Technology? 單元布局，實現(xiàn)了大電流芯片和高產量。GS-065-030-2-L-MR是底部冷卻型晶體管，結殼熱阻低，適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性相結合，可提供極高效率的功率開關。

特性

650 V 增強型功率晶體管

850 V 漏極至源極瞬態(tài)電壓

底部冷卻、8x8 毫米 PDFN 封裝

RDS(on) = 50 mΩ

IDS(max) = 30 A

簡單柵極驅動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 / +10 V）

開關頻率極高（> 1 MHz）

快速可控的下降和上升時間

用于優(yōu)化柵極驅動的源檢測 (SS) 引腳

反向導通能力

零反向恢復損耗

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

無橋圖騰柱 PFC

消費、工業(yè)和數(shù)據中心高密度電源

大功率適配器

LED 照明驅動器

家電和工業(yè)電機驅動器

太陽能逆變器

不間斷電源

激光驅動器

無線電力傳輸

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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