商品名稱:IDW32G65C5B
數(shù)據(jù)手冊(cè):IDW32G65C5B.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IDW32G65C5B 是 CoolSiC? 第 5 代產(chǎn)品,代表了英飛凌在 SiC 肖特基勢(shì)壘二極管領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)。
產(chǎn)品特性
革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅
基準(zhǔn)開關(guān)行為
無(wú)反向恢復(fù)/無(wú)正向恢復(fù)
開關(guān)行為不受溫度影響
高浪涌電流能力
無(wú)鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
通過(guò) JEDEC1) 目標(biāo)應(yīng)用認(rèn)證
擊穿電壓測(cè)試為 35 mA2) 3)
針對(duì)高溫操作進(jìn)行了優(yōu)化
優(yōu)點(diǎn)
更高的過(guò)壓安全裕度,補(bǔ)充了 CoolMOS? 產(chǎn)品的不足
在所有負(fù)載條件下都能提高效率
與硅二極管替代產(chǎn)品相比,效率更高
與更快的硅二極管反向恢復(fù)波形相比,減少了 EMI
高度穩(wěn)定的開關(guān)性能
降低冷卻要求
降低熱失控風(fēng)險(xiǎn)
符合 RoHS 規(guī)范
極高的質(zhì)量和大批量制造能力
潛在應(yīng)用
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正
太陽(yáng)能逆變器
不間斷電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號(hào):SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過(guò)程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺(tái)具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 VId - 漏極連續(xù)電流:11 ARds On - 漏極-源極電阻:450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 VVgs th - 柵極…電話咨詢:86-755-83294757
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