商品名稱：FF1MR12KM1HP
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
FF1MR12KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
FF1MR12KM1HP 62 毫米 1200 V、1.6 mΩ 半橋模塊，采用 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，采用眾所周知的 62 毫米外殼，結(jié)合 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
特點(diǎn)
● 電氣特性
● VDSS = 1200 V
● IDN = 560 A / IDRM = 1120 A
● 高電流密度
● 開關(guān)損耗低
● 機(jī)械特性
● 4 kV AC 1 min 絕緣
● 預(yù)涂熱界面材料
應(yīng)用
● UPS 系統(tǒng)
● 太陽(yáng)能應(yīng)用
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
● 高頻開關(guān)應(yīng)用
● 儲(chǔ)能系統(tǒng)
● 電動(dòng)汽車直流充電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù)，封裝的工作溫度也隨之改善。
IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。
SPD06N80C3
SPD06N80C3（MOSFET 晶體管）：800V，CoolMOS? 功率晶體管，PG-TO252-3 型號(hào)：SPD06N80C3封裝：PG-TO252-3 類型：CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性：系列：CoolMOS?FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…
IPA60R099P7
IPA60R099P7：600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V，CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管，該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過(guò)程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺(tái)具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電
SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性：N 溝道通道數(shù)：1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓：800 VId - 漏極連續(xù)電流：11 ARds On - 漏極-源極電阻：450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 VVgs th - 柵極…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
