商品名稱:DCG85X1200NA
數(shù)據(jù)手冊:DCG85X1200NA.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:SOT-227B
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
DCG85X1200NA非常適合用于需要提高效率、可靠性和熱管理的應(yīng)用。這些碳化硅二極管和整流器具有1200V的最大反向重復(fù)阻斷電壓。它們采用雙重、相腳或共陰極配置。這些器件的IFAVMTotal范圍為12.5A至60A。這些二極管和整流器采用SOT-227B或ISOPLUS247封裝。這些器件非常適合用于太陽能逆變器、UPS、焊接設(shè)備、開關(guān)模式電源、醫(yī)療設(shè)備或高速整流器。
產(chǎn)品屬性
二極管配置:2 個獨立式
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):43A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.8 V @ 40 A
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:400 μA @ 1200 V
工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 175°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B
應(yīng)用
● 太陽能逆變器
● 不間斷電源 (UPS)
● 焊接設(shè)備
● 開關(guān)模式電源
● 醫(yī)療設(shè)備
● 高速整流器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點高速開關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應(yīng)用進行了優(yōu)化,這類應(yīng)用需要高達200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強了動態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: