商品名稱:SI7114DN-T1-GE3
數(shù)據(jù)手冊:SI7114DN-T1-GE3.pdf
品牌:VISHAY
年份:23+
封裝:QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:18000 件
Si7114DN N-通道30-V(D-S)快速開關(guān)MOSFET
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 11.7A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 7.5 毫歐 @ 18.3A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 19 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Vishay 成立于1962,是世界最大的分立半導(dǎo)體和被動元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè), 計算機, 汽車, 消費, 電信, 軍事, 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備中。Vishay 的全球足跡包括在中國, 亞洲其他五個國家/地區(qū), 歐洲及美洲設(shè)立的制造機構(gòu),以及在全球…
VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 溝槽現(xiàn)場止動單斬波器 IGBT 模塊,底座安裝 SOT-227VS-GT75LA60UF - 產(chǎn)品描述:VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊,采用 SOT-227 封裝,底座安裝。VS-GT75LA60UF - 主要特性:溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)頻率高…VS-GT100LA65UF
VS-GT100LA65UF - 650V、100A "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊,SOT-227VS-GT100LA65UF - 產(chǎn)品屬性:IGBT 類型:溝槽場截止配置:單斬波器電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):94 A功率 - 最大值:230 WVce(on) (最大值) @ Vge,Ic…VCNL36826S
VCNL36826S - 帶中斷、VCSEL 和 I2C 接口的接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36826S 在一個小型封裝中集成了一個接近傳感器 (PS) 和一個 VCSEL。它采用 CMOS 工藝將光電二極管、放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路集成到單個芯片中。PS 的可編程中斷功能具有獨立的高低閾值,可最大限度地利用微控…VCNL36828PN3OQ
VCNL36828PN3OQ 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封裝、小窗口尺寸和短距離操作的接近檢測應(yīng)用而開發(fā)。此外,考慮到 1.8 V 的典型額定電源電壓…VCNL36828P
VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空閑電流、I2C 接口和智能雙從屬地址的小型封裝接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封…VCNL40303X01-GS08
VCNL40303X01-GS08接近和環(huán)境光傳感器在一個小型封裝中集成了接近傳感器 (PS)、環(huán)境光傳感器 (ALS) 和大功率IRED。電話咨詢:86-755-83294757
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